Allegro MicroSystems：GaN FET 絶縁ゲートドライバーデュアルチップセット AHV85000/AHV85040 - Allegro

製品概要

AHV85000 と AHV85040 は、GaN FET 用絶縁ゲートドライブのコスト最適化ソリューションを提供するデュアルチップセットです。推奨外付けトランスのいずれかと組み合わせることで、複数のアプリケーションやトポロジーの GaN FET に最適なセルフパワー絶縁型ゲートドライブ・ソリューションを提供します。E モード GaN（6V駆動）やカスコード GaN（12V駆動）など、それぞれ異なる駆動電圧とゲート電荷特性に最適化された推奨 3rdパーティー製トランスを選択できます。

チップセットは、PWM 信号とゲート・バイアス電力の両方を外部トランスを通して伝送するため、外部ゲート・ドライブ補助バイアス電源やハイサイド・ブートストラップは不要です。これにより、システム設計が大幅に簡素化され、総コモンモード容量の合計が減少するため、EMI が低減されます。また、スイッチング電源トポロジーのどの位置でもフローティングスイッチを駆動することができます。

製品特長

・単一の外部絶縁トランスを介して PWM 信号とバイアス電力の両方を伝送
　　- ハイサイドブートストラップ不要
　　- 外部の 2次側バイアス不要
・50ns の伝搬遅延（推奨トランス使用時）
・プルアップ (2.8 Ω) とプルダウン (1.0 Ω) の独立したドライブ出力ピン
・供給電圧：7V < VDRV < 13.2V
・1次側 VDRV と 2次側 VSEC の低電圧ロックアウト
・高速応答のイネーブルピン
・継続的な ON 機能：IN のリサイクルやブートストラップコンデンサーの再充電不要
・CMTI：100 V/ns dv/dtより高い耐性（推奨トランス使用時）
・4mm または 8mm より長い沿面距離（推奨トランス使用時）
・安全規格認証
　　- UL1577 に基づく 5kV RMS VISO
　　- 最大 8kV pk VIOTM 過渡絶縁電圧
　　- 最大 1kV pk 動作絶縁電圧