製品概要

AHV85111 絶縁ゲートドライバーは、複数のアプリケーションやトポロジーで GaN FET を最適に駆動するために設計されています。このドライバーには絶縁された正負両方の出力バイアス電源が内蔵されており、外部の補助バイアス電源やハイサイドブートストラップが不要です。調整可能でレギュレートされた正レールを持つバイポーラー出力レールにより、dv/dt 耐性が向上し、システム設計が大幅に簡素化され、総コモンモード容量が減少することで EMI が低減されます。また、スイッチング電源トポロジーの任意の位置にある浮動スイッチを駆動することが可能です。

製品特長

・トランス絶縁バリアー
・Power-Thru 内蔵絶縁バイアス
　　- ハイサイドブートストラップ不要
　　- 外部の 2次側バイアス不要
・AEC-Q100 グレード2 認証取得
・調整可能なレギュレート正レール付きバイポーラードライブ出力
・内蔵 1次側 3.3V REF バイアス出力
・50ns の伝搬遅延
・プルアップ (2.8 Ω) とプルダウン (1.0 Ω) の独立したドライブ出力ピン
・供給電圧：10.5V < VDRV < 13.2V
・1次側 VDRV と 2次側 VSEC の低電圧ロックアウト
・高速応答のイネーブルピン
・継続的な ON 機能：IN のリサイクルやブートストラップコンデンサーの再充電不要
・CMTI：100 V/ns dv/dtより高い耐性
・8.4mm の沿面距離
・安全規格認証
　　- UL1577 に基づく 5kV RMS VISO
　　- 最大 8kV pk VIOTM 過渡絶縁電圧
　　- 最大 1kV pk 動作絶縁電圧

対象アプリケーション

• AC-DC および DC-DC コンバーター：トーテムポール PFC、LLC ハーフ/フルブリッジ、SR ドライブ、マルチレベルコンバーター、位相シフトフルブリッジ
• 車載：EV 充電器、オンボードチャージャー
• 産業：データセンター、輸送、ロボティクス、オーディオ
• クリーンエネルギー：マイクロインバーター、ストリングインバーター、ソーラーインバーター

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