製品概要
AHV85110 絶縁ゲートドライバーは、複数のアプリケーションやトポロジーで GaN FET を駆動するために最適化されています。ドライバーデバイスには絶縁出力バイアス電源が内蔵されており、外部のゲートドライブ補助バイアス電源やハイサイドブートストラップが不要です。これにより、システム設計が大幅に簡素化され、総コモンモード容量が減少することで EMI が低減されます。また、スイッチング電源トポロジーの任意の位置にある浮動スイッチを駆動することが可能です。
このドライバーは、高速伝搬遅延と高いピークソース/シンク能力を持ち、高周波設計において GaN FET を効率的に駆動します。高い CMTI と、バイアス電源および駆動のための絶縁出力を組み合わせることで、絶縁、レベルシフトまたはノイズ耐性のためのグランド分離が必要なアプリケーションに最適です。
製品特長
・トランス絶縁バリアー
・Power-Thru 内蔵絶縁バイアス
- ハイサイドブートストラップ不要
- 外部の 2次側バイアス不要
・AEC-Q100 グレード2 認証取得
・50ns の伝搬遅延
・プルアップ (2.8 Ω) とプルダウン (1.0 Ω) の独立したドライブ出力ピン
・供給電圧：10.5V < VDRV < 13.2V
・1次側 VDRV と 2次側 VSEC の低電圧ロックアウト
・高速応答のイネーブルピン
・継続的な ON 機能：IN のリサイクルやブートストラップコンデンサーの再充電不要
・CMTI：100 V/ns dv/dtより高い耐性
・8.4mm の沿面距離
・安全規格認証
- UL1577 に基づく 5kV RMS VISO
- 最大 8kV pk VIOTM 過渡絶縁電圧
対象アプリケーション
- AC-DC および DC-DC コンバーター：トーテムポール PFC、LLC ハーフ/フルブリッジ、SR ドライブ、マルチレベルコンバーター、位相シフトフルブリッジ
- 車載：EV 充電器、オンボードチャージャー
- 産業：データセンター、輸送、ロボティクス、オーディオ
- クリーンエネルギー：マイクロインバーター、ストリングインバーター、ソーラーインバーター
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