- 半導体事業HOME
- マクニカの製品・サービス
-
技術情報
-
イベント・セミナー
- 取扱メーカー
- サポート
- お問い合わせ
- 製品購入はこちら
- 半導体事業のメルマガ登録
製品概要
オンセミ社高性能SiCパワーモジュールと、その駆動性能を最大限引き出すアナログ・デバイセズ社ゲートドライバーを組み合わせたリファレンスボードです。
高いドライブ能力に加えて、保護機能も充実した絶縁型SiC ゲートドライバーと、高効率が実現できるSiC パワーモジュールの組み合わせが、システムの高信頼性と高効率を実現します。
製品の特長
- 故障検出機能とミラークランプ機能を内蔵した絶縁型SiC ゲートドライバー
- 低損失・高効率なSiC パワーモジュール
- ダブルパルス試験が可能
ハーフブリッジボード仕様
| 入力電圧 | 680V |
| 出力電流 | 25A(UHB50SC12E1BC3N) 50A(UHB100SC12E1BC3N) |
| 周波数 | 25kHz~50kHz |
| DUTY | 50% |
| Gate電圧 | 0V/+15V |
| PWM入力 | シングルエンド/差動 |
| 電源 | 差動+12V（外部） |
| 基板 | 4層/板厚1.6mm/FR-4 |
| 重さ | 1250g ※ヒートシンク+ファン含む |
| サイズ | 180×200×135mm（W×D×H） ※ヒートシンク+ファン含む |
アナログ・デバイセズ社 絶縁型SiCゲートドライバー ADuM4146
ADuM4146 は、SiC-MOSFET やIGBT 向けの高電圧絶縁型ゲートドライバーIC で、
アナログ・デバイセズのiCoupler® 技術を用いた高速・高信頼性のスイッチング制御を実現するデバイスです。
・業界をリードするCMT（I コモンモード過渡耐性）を有し、
ゲートタイミングエラーの発生防止を保証
・高電圧短絡時のSiC保護用に非飽和検出回路を内蔵
・ミラークランプ内蔵で、SiCのターンオン時の誤動作を防止
・電流バッファー+保護の外付け回路が不要で、
パワーデバイスのゲート直近に配置が可能
オンセミ社 SiCパワーモジュール
オンセミ社のSiC パワーモジュールは、SiC JFET とSi MOSFET を内部でカスコード接続することで、ノーマリ―オフを実現しています。
・SiC JFETとSi MOSFETが内部でカスコード接続されたSiC FETにより、低ON抵抗
・ゲート電圧はSi MOSFETと同等の0～12Vでシンプルに駆動でき、負電源が不要
・内部のボディーダイオードもSiベースのため、第３象限でのVFが1.5Vで、150℃でも低いQrr
製品データシート
アプリケーション例
- 太陽光発電（PV）むけインバーター
- モーター駆動部
- 産業機器向け電源部
設計資料ダウンロード
当ボードの回路図やレイアウト、BOMリスト(部品表)は、申し込みフォームから無料でダウンロードできます。
ご興味のある方は、ぜひダウンロードしてください。
お問い合わせ
本製品に関してご質問などありましたら、以下よりお問い合わせください。