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Qorvo 低RDS(on) SiC FETで比類のない効率を実現
AC Propulsion社は、電気自動車技術を開発し、世界中の自動車およびその他のクライアントに製品とエンジニアリングサービスを提供しています。 独自の低コストドライブユニットインバーター用に第2世代のパワーモジュールを開発する場合、AC Propulsion社には、既存のIGBTベースの設計と比較して2〜5％高いスイッチング効率を実現するパワー半導体が必要でした。
ソリューション
AC Propulsion社がQorvo UF3SC120009K4S、1200V、9mohm SiC FETを使用して設計した、EV用の3相ACトラクションインバーターは、競合するSiCデバイスを使った場合よりも効率が向上しています。 また、一般的なTO-247パッケージにパッケージ化されているため、より効率的で費用対効果の高いドロップイン交換が可能です。
メリット
RDS(on)が9mΩと低いため、新しい高性能パワーモジュールの設計では、使用するディスクリートコンポーネントが少なくなり、システムコストとスペースを節約できます。その効率により、優れたパフォーマンスを実現しながら、自己完結型のヒートシンクを使用できます。
Qorvo FETとIGBTを使用すると、ドライブサイクル効率が3％〜5％向上します。 これは、範囲が拡大され、バッテリーサイズが縮小される可能性があることを意味します。
■ パフォーマンスデータ
■ 200kWドライブユニットの実際に測定されたSiCインバーターの効率
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Highest Efficiency |
99.98% |
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Eff. > 95% Area |
98.62% |
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Avg Eff. 500-2000rpm |
97.64% |
注：300kVA対応のSiCインバーター。 示されている効率マップの222kWシャフト出力パワーPMモーターに使用される700VDC入力での効率99％および295Arms/相
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