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1200V を超えた高信頼性のEVおよび産業用アプリケーション向け横型 GaN HEMTs

※本記事は、Power Integrations社が作成した動画を掲載しています。

1200V を超えた高信頼性のEVおよび産業用アプリケーション向け横型 GaN HEMTs(動画時間:約4分)

Power Integrations 社が先駆けて採用した 1250V 窒化ガリウム電源スイッチ IC は、顕著な過渡過電圧能力を備えており、高電圧と高信頼性を必要とする EV および産業用アプリケーションにとって重要です。Power Integrations 社の PowiGaN 専門家である Kamal Varadarajan 氏がこの画期的な技術を深掘りして紹介します。

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