E-Fuseとは

E-Fuseは、回路の過電流を遮断する機能を半導体スイッチを使っておこなうものを言います。
E-Fuseは回路の電流が一定の条件を超えると、MOSFETをオフして回路電流を遮断します。
E-Fuseには遮断が高速など、以下のような特徴があります。

主な特徴
・金属接点が無い
・接点の可動が無い
・遮断にかかる時間が短い
・遮断時アーク放電が無い

昨今の電動車アプリケーションでは、高圧のバッテリーの搭載で高い直流電圧を扱う回路が増えており、それに伴い回路保護機能もそれに応じたものが必要となってきました。直流の電圧・電流を機械的接点で遮断すると、接点間にアークが発生して、実際の遮断までに時間がかかるなど課題もあり、今後はSiC MOSFETを使ったスイッチのE-Fuseが使われる場面も増えてくるものと期待されています。

高耐圧・高電流ができるわけ

高耐圧のシリコンパワーデバイスMOSFETやIGBTでは、導通時の損失のため大電流を流せず、高耐圧の半導体スイッチ用途には適していませんでした。ところがSiC MOSFETは高耐圧かつ低オン抵抗が特徴であり、導通時の損失が抑えられるため、SiC MOSFETを利用することで高耐圧・高電流のE-Fuseアプリケーションを実現することが可能になりました。

なぜMicrochipがE-Fuseを提案しているか

• MicrochipのSiC製品は、MOSFET、SBD、パワーモジュールと製品を数多くラインアップしています。
• MicrochipのSiC MOSFETはアバランシェ耐量、短絡耐量を持っており、耐久性と信頼性に優れています。
• Microchipは、高耐圧製品だけでなく他に様々な製品を持って展開しています。
• Microchipでは、SiCを含む自社のデバイスを中心に作成したE-Fuse機能のデモボードを用意しています。

こういった点からMicrochipはSiC MOSFETによるE-Fuseソリューションを提案しています。

E-Fuse 回路イメージ　

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• Microchip パワーデバイス製品 メーカーカタログ（英語）
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