CoolSiC™とは？

CoolSiC™はインフィニオン社独自のSiCテクノロジーの商標です。

インフィニオン社は1992年より25年以上のSiC製品の開発実績があり、車載、産機、民生問わず多くの採用実績がございます。また、将来期待されるSiC製品の所要拡大に
向けて、自社の前工程工場の増設に多く投資をしており、BCMの観点でも非常に強いメーカーとなります。

このページでは最新のCoolSiC™G2テクノロジーの紹介をしておりますが、従来よりリリースされているCoolSiC™製品を紹介している別ページも是非ご参照ください。

CoolSiC™ G2テクノロジー

CoolSiC™ G1テクノロジーは2017年に初めて導入され、競争力のある性能を実現する複数の機能を備えています。堅牢で信頼性の高いCoolSiC™ G1テクノロジーは広いゲート電圧（VGS）範囲、ゲートターンオフ電圧が0Vであっても寄生ターンオンを防止する高い閾値電圧（Vth）、ハードコミュテーション下でも可能な堅牢なボディダイオード動作を特長としています。

また、リードフレームからのチップの剥離につながる可能性のあるSiCチップへの応力と歪みを軽減するため、CoolSiC™ G1およびG2テクノロジーは、インフィニオン社独自のXTパッケージ相互接続技術を採用しており、この技術は拡散はんだ付けによる極めて堅牢なチップ接合を可能とし、信頼性に加えRthも向上させます。

その後、2025年初めに発表されたG2テクノロジーはG1テクノロジーを基盤としていますが、セルの縮小により価格性能比が上がり、かつ、いくつかの追加機能によりデバイスの主要機能も向上しており、この度、車載、産業/民生用に750V耐圧のラインナップが拡充されました。

特徴

• 一般的な負荷条件において、電力損失を約5～20%削減
• XTテクノロジーの改良により、RthJCを12%削減
• 最大過渡VGS範囲が-10V～+25Vと広い
• 非常に低い不良率により、G1テクノロジーの高い信頼性を踏襲
• 750V耐圧ラインナップでの上面冷却パッケージによる優れた放熱性

上面冷却パッケージ

CoolSiC™ 750V G2シリーズは随時ラインナップの拡充を予定しておりますが、先行して上面冷却のQDPAKパッケージ製品がリリースされました。

上面冷却のQDPAKは標準的な下面冷却よりも熱抵抗が最大35％低減することができます。プリント基板の両面を使用できるため、上面冷却パッケージは基板スペースの利用効率が高く、電力密度は少なくとも2倍以上となります。また、リードの熱抵抗はパッケージ上面が露出している場合に比べてはるかに高いため、パッケージの熱管理は基板からの熱デカップリングによって改善されます。

加えて、FR4とIMSを組み合わせるよりもFR4一枚で全ての部品をまかなうことができ、コネクターも少なく済むため、全体的な部品表（BOM）コストの削減にも繋がります。QDPAKはJEDEC標準規格として登録もされているため、信頼性においても安心して使用いただけます。

アプリケーション

• オンボードチャージャー（OBC）
• DC-DCコンバーター
• 電気自動車（xEV）用の補助装置
• e-fuse
• EV充電
• 蓄電システム
• 通信
• SMPS
• ソーラーインバーター

お問い合わせ / お見積もり

本製品に関してご質問、見積もりの希望がありましたら以下より問い合わせください。