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製品概要
インフィニオン初の1700VクラスのSiC MOSFETポートフォリオは、 三相電源システムの制御ロジック、ディスプレイおよび冷却ファン用の電力を生成する補助電源回路を対象としています。そのような低電力アプリケーションに対する業界の推奨プラクティス （シングルエンドフライバックトポロジー）は、1000VDC入力電圧まで使用できるようになりました。
1700Vブロッキング電圧は、電圧ストレスマージンと電源の信頼性に関する設計上の懸念事項を解消します。SiC MOSFETテクノロジーでは、1500V Si MOSFETに比べてオン抵抗とデバイス容量が低いため、損失は50%以上低減され、ヒートシンクなしの自然対流冷却を使用したコンパクトなSMD統合が可能になります。
製品特徴
- 優れたゲート酸化膜信頼性を有するインフィニオンのCoolSiC™トレンチテクノロジー
- PCBへのSMD統合(追加のヒートシンクなしで自然対流冷却を使用)
- 一般的なPWMコントローラーと互換性がある+12V / 0Vゲートソース間電圧を使用してフライバックトポロジー用に最適化
- パッケージの沿面距離と空間距離の拡張による絶縁作業の低減
- 1700Vスイッチで見られる最も低いデバイス容量とゲート電荷
CoolSiC™ MOSFET シリーズとは
CoolSiC™ MOSFETは、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジー、DC/DCコンバーター、DC/ACインバーターなど、ハードウェアトポロジーおよび共振スイッチングトポロジーの両方に最適です。不要な寄生ターンオン効果に対する優れた耐性により、ブリッジトポロジーのターンオフ電圧が0Vであっても、低ダイナミック損失のベンチマークを実現します。インフィニオンのTOパッケージおよびSMDパッケージ製品には、スイッチング性能最適化用のケルビンソースピンも追加できます。
製品ラインナップ
| 項目 | パッケージ種類 |
| RDS(on) |
TO-263-7 |
| オン抵抗仕様 | 製品型番 |
| 1000 mΩ | IMBF170R1K0M1 |
| 650 mΩ | IMBF170R650M1 |
| 450 mΩ | IMBF170R450M1 |
※パッケージは各オン抵抗仕様でもどちらのパッケージでも選択可能
Macnica-Mouserで購入
対象アプリケーション
- 太陽光発電システム用のソリューション
- 産業用ドライブ
- エネルギー貯蔵システム
- スイッチング電源
- 高速EV充電
Infineon社 新製品情報
お問い合わせ
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