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EiceDRIVER™ ゲートドライバーIC製品概要
インフィニオンの提供するCoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズは、絶縁ゲート出力部を使い容易に制御できます。
そのため、インフィニオンのコアレストランス技術に基づく、EiceDRIVER™ ガルバニック絶縁ゲートドライバーICのご使用をお勧めします。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、優れた伝搬遅延マッチング、正確な入力フィルター、広い出力側供給範囲、負のゲート電圧駆動能力、高い同相過渡除去特性、アクティブミラークランプ、DESAT保護機能など、シリコンカーバイド MOSFETを駆動するうえで重要な機能やパラメーターを実装しています。EiceDRIVER™ ゲートドライバーは、500種類以上のソリューションを提供しています。このページでは、シリコンカーバイド MOSFET に最適な製品をご紹介しますが、絶縁別、スイッチングデバイス別などご用途に合わせてEiceDRIVER™ ゲートドライバーを選択していただく事が可能です。
EiceDRIVER™ ゲートドライバーIC製品特長
- 沿面距離8mmのワイドボディパッケージ
- 高温での動作に最適
- アクティブミラークランプ
- 短絡クランプおよびアクティブシャットダウン
EiceDRIVER™ ゲートドライバーICとは
インフィニオンはEiceDRIVER™ ゲートドライバーとして 、ガルバニック絶縁されたゲートドライバー、車載適合のゲートドライバー、200V、500～700V、1200Vレベルシフトゲートドライバー、非絶縁ローサイドドライバーの優れた製品ファミリーを提供しています。インフィニオンの EiceDRIVER™ ゲートドライバーは、内蔵ブートストラップダイオード（BSD）、過電流保護、シャットダウン、障害レポート、イネーブル、入力フィルター、オペアンプ、非飽和検出、プログラマブルデッドタイム、シュートスルー保護、アクティブミラークランプ、アクティブシャットダウン、シンク出力とソース出力の分離、短絡クランプ、ソフトシャットダウン、2レベルターンオフ、ガルバニック絶縁（機能、基本、強化）などの高度な機能を備えています。
EiceDRIVER™ ゲートドライバーIC製品ラインナップ
| 製品 | 型番 | ピーク駆動電流(Typ値) | VCC2-VEE2 | UVLO閾値 (Typ値) |
伝送遅延 (Typ値) |
ミラークランプ |
| 1EDC/1LED小型絶縁はイサイドドライバファミリー | 1EDI20I12MF | 3.5A | 20V | 11.9V / 11V | ≦ 300ns | 〇 |
| 1EDC20H12AH | 3.5A | 35V | 12V / 11.1V | ≦ 125ns | × | |
| 1EDC60H12AH | 9.4A | 35V | 12V / 11.1V | ≦ 125ns | × | |
| 1EDC20I12MH | 3.5A | 20V | 11.9V / 11V | ≦ 300ns | 〇 | |
| 1ED-F2絶縁ハイサイドドライバー（保護機能内蔵） | 1ED020I12-F2 | 2.0A | 28V | 12V/ 11V | ≦ 170ns | 〇 |
| 2ED-F2絶縁デュアルはイサイドドラバー（保護機能内蔵） | 2ED020I12-F2 | 2.0A | 28V | 12V / 11V | ≦ 170ns | 〇 |
| 1EDUスルーレート制御(SRC)絶縁ハイサイドドライバー | 1EDU20I12SV | 2.0A | 28V | 11.9V / 11V | ≦ 485ns | 〇 |
評価ボード
・ボード名： EVAL-1EDC20H12AH-SIC
・ゲートドライバー： 1EDC20H12AH
・SiC MOSFET： IMZ120R045M1
・ボードサイズ： 85mm x 55mm x 30mm3
