高い性能と信頼性、そして堅牢性を兼ね備えたCoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズ - 半導体事業

条件を指定して絞り込む

現在1995件がヒットしています。check

製品ピックアップアナログディスクリート Infineon

CoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズ製品概要

インフィニオンの提供するCoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズは、世界的にエネルギー需要が増加する中、より少ないエネルギーで高性能、高効率、そして堅牢性の高い製品を目指し、シリコンカーバイド（SiC) を採用しています。シリコンカーバイドを使用することで、より高い電圧で動作し、高いスイッチング周波数を実現し、高熱伝導率による放熱能力が改善された製品となっています。CoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズはIGBTと比較してスイッチング損失を最大80％低減し、IGBTと同様のdv/dt であっても、50% の損失低減を実現可能です。このスイッチング損失は温度非依存であることがIGBTとの大きな違いです。

CoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズ製品特長

TO247パッケージで1200Vを実現するトレンチテクノロジーに基づく業界最先端のSiC MOSFET
TO247 3ピン/ TO247 4ピン/ D2PAK-7 パッケージを用意
卓越したゲート酸化膜信頼性
クラス最高のスイッチング損失と導通損失
IGBT互換の駆動（+18V）

CoolSiC™ MOSFETとは

インフィニオンが提供するシリコンカーバイド MOSFETは、CoolSiCTM MOSFET と呼ばれています。シリコンカーバイド（SiC）は、これまでにないレベルの効率性と信頼性を実現するために、設計者に新たな柔軟性をもたらします。CoolSiCTM は従来のシリコンベース（Si）の高耐圧スイッチやIGBTと比較して負荷条件によりますが、スイッチングロスを約80％、導電損失を最大50%にすることが可能です。これにより、インバータ効率レベルが99%を超えるため、運用コストが大幅に削減されます。特定の SiC プロパティにより、同等もしくはそれ以上のスイッチング周波数操作を実装できます。また、CoolSiC™MOSFETデバイスは、電力密度を高めることでシステムコストを削減できます。　　

CoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズ製品ラインナップ

Rdson	パッケージ
[mΩ]	TO-247 3	TO-247 4	D2PAK-7
30	IMW120R030M1H	IMZ120R030M1H	IMBG120R030M1H
45	IMW120R045M1	IMZ120R045M1	IMBG120R045M1H
60	IMW120R060M1H	IMZ120R060M1H	IMBG120R060M1H
90	IMW120R90M1H	IMZ120R090M1H	IMBG120R090M1H
140	IMW120R140M1H	IMZ120R140M1H	IMBG120R140M1H
220	IMW120R220M1H	IMZ120R220M1H	IMBG120R220M1H
340	IMW120R340M1H	IMZ120R340M1H	IMBG120R340M1H