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CoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズ製品概要
インフィニオンの提供するCoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズは、世界的にエネルギー需要が増加する中、より少ないエネルギーで高性能、高効率、そして堅牢性の高い製品を目指し、シリコンカーバイド（SiC) を採用しています。シリコンカーバイドを使用することで、より高い電圧で動作し、高いスイッチング周波数を実現し、高熱伝導率による放熱能力が改善された製品となっています。CoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズはIGBTと比較してスイッチング損失を最大80％低減し、IGBTと同様のdv/dt であっても、50% の損失低減を実現可能です。このスイッチング損失は温度非依存であることがIGBTとの大きな違いです。
CoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズ製品特長
- TO247パッケージで1200Vを実現するトレンチテクノロジーに基づく業界最先端のSiC MOSFET
- TO247 3ピン/ TO247 4ピン/ D2PAK-7 パッケージを用意
- 卓越したゲート酸化膜信頼性
- クラス最高のスイッチング損失と導通損失
- IGBT互換の駆動（+18V）
CoolSiC™ MOSFETとは
インフィニオンが提供するシリコンカーバイド MOSFETは、CoolSiCTM MOSFET と呼ばれています。シリコンカーバイド（SiC）は、これまでにないレベルの効率性と信頼性を実現するために、設計者に新たな柔軟性をもたらします。CoolSiCTM は従来のシリコンベース（Si）の高耐圧スイッチやIGBTと比較して負荷条件によりますが、スイッチングロスを約80％、導電損失を最大50%にすることが可能です。これにより、インバータ効率レベルが99%を超えるため、運用コストが大幅に削減されます。特定の SiC プロパティにより、同等もしくはそれ以上のスイッチング周波数操作を実装できます。また、CoolSiC™MOSFETデバイスは、電力密度を高めることでシステムコストを削減できます。
CoolSiC™ MOSFET 1200V シリーズ製品ラインナップ
| Rdson | パッケージ | ||
| [mΩ] | TO-247 3 | TO-247 4 | D2PAK-7 |
| 30 | IMW120R030M1H | IMZ120R030M1H | IMBG120R030M1H |
| 45 | IMW120R045M1 | IMZ120R045M1 | IMBG120R045M1H |
| 60 | IMW120R060M1H | IMZ120R060M1H | IMBG120R060M1H |
| 90 | IMW120R90M1H | IMZ120R090M1H | IMBG120R090M1H |
| 140 | IMW120R140M1H | IMZ120R140M1H | IMBG120R140M1H |
| 220 | IMW120R220M1H | IMZ120R220M1H | IMBG120R220M1H |
| 340 | IMW120R340M1H | IMZ120R340M1H | IMBG120R340M1H |
Macnica-Mouserで購入
製品型名の命名規則
