条件を指定して絞り込む
現在1886件がヒットしています。check
製品概要
インフィニオンの提供するCoolSiC™ MOSFETは、充電器や補機システムでの電力変換のために設計された高電圧半導体です。同製品は、110μm薄型ウェハテクノロジーを採用し、発生する電力損失を押さえ、インフィニオン独自の1200VSiC MOSFET は、1200Vスイッチでのきわめて低いゲート電荷とデバイス静電容量レベル、内部転流防止ボディダイオードにより逆回復損失がないこと、温度非依存の低スイッチング損失、閾値非依存のオン状態特性などにより、設計への導入やアプリケーション設計が容易になります。また、コンバーターを高いスイッチング周波数で使用すると、磁気部品のサイズや重量を最大で25％、劇的に低減できます。
特徴
- TO247パッケージで1200Vを実現するトレンチテクノロジーに基づく業界最先端のSiC MOSFET
- 最大動作温度: TJ, max = 175°C
- クラス最高のVGSしきい値特性によって制御が容易
- 短絡およびアバランシェ降伏に対する堅牢性
- AEC-Q101への適合に加え、インフィ二オンの車載用 SiCにおけるクラス最高の品質レベルを実現
CoolSiC™ MOSFETとは
インフィニオンが提供するSiC MOSFETは、CoolSiCTM MOSFET と呼ばれています。シリコンカーバイド（SiC）は、これまでにないレベルの効率性と信頼性を実現するために、設計者に新たな柔軟性をもたらします。CoolSiCTM は従来のシリコンベース（Si）の高耐圧スイッチやIGBTと比較して負荷条件によりますが、スイッチングロスを約80％、導電損失を最大50%することが可能です。これにより、インバータ効率レベルが99%を超えるため、運用コストが大幅に削減されます。特定の SiC プロパティにより、同等もしくはそれ以上のスイッチング周波数操作を実装できます。また、CoolSiC™MOSFETデバイスは、電力密度を高めることでシステムコストを削減できます。
製品仕様
| 項目 | 仕様 |
| ID (@25°C) max | 52.0 A |
| 動作温度範囲 | Min : -55.0 °C Max : 175.0 °C |
| Polarity | N |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 45.0 mΩ |
| VDS max | 1200.0 V |
| Completely lead free | yes |
| ハロゲンフリー | yes |
| RoHS compliant | yes |
| Packing Size | 240 |
対象アプリケーション
- 車載充電器（PFC段およびDC/DC回路部）
- DC/DCコンバータ
- 補機インバータ
アプリケーション図
お問い合わせ
本製品に関してご質問、サンプル依頼などありましたら、お問い合わせください。