NCP51752 は、ソースおよびシンクのピーク電流がそれぞれ 4.5 A/9 A の絶縁型シングルチャンネルのゲートドライバーです。
これらは、パワー MOSFET および SiC MOSFET パワースイッチを駆動する高速スイッチング用に設計されています。
NCP51752 は、短くて適切な伝播遅延を提供します。
信頼性の向上、dV/dt 耐性、さらに高速なターンオフを実現するために、NCP51752 には革新的な負のバイアス制御が組込まれています。
NCP51752 は、両側ドライバーの独立したUVLO(Under Voltage Lockout)など、その他の重要な保護機能も提供します。
ブロック図および回路図を下記に示します。

次に本製品の特長である負バイアス制御機能について説明します。

NCP51752 は、図 54 に示すように、ゲート駆動において、負バイアスを生成する簡単な方法を提供します。この負バイアスは、PCB レイアウトやパッケージリードがパワートランジスター Vgs で高いリンギングを生成する場合に非常に役立ちます。
このゲート電圧のリンギングは、一般に、高い di/dt および dv/dt スイッチング条件で発生します。 リンギングをスレッショルド電圧以下に保ち、誤ったターンオンを防ぐために、一般にゲート駆動に負のバイアスを印加します。

NCP51752 は、あらゆる構成やあらゆるタイプのパワートランジスターに対応するために、-2 V、-3 V、-4 V、および -5 V を生成するさまざまなオプションを提供します。
さらに、負のバイアス電圧には、目標 VEE 値の80%に設定されたUVLO(Under Voltage Lockout) が含まれています。 (図 36参照)

GND2 ピンと VEE ピンの間のコンデンサーC(GND2)により、ピン間に電圧が発生します。 コンデンサーの電圧は、電流源の充電および放電によって制御されます。 この機能により、PCB サイズとコストを最小限に抑えることができ、スイッチング周波数とデューティーサイクルに関係なく、GND2 ピンと VEE ピンの間の負のバイアス電圧を正確に制御します。

図 55 に負バイアス制御のタイミングチャートを示します。
GND2 コンデンサーの電圧が指定されたターゲットしきい値電圧を下回る場合、
たとえば、VC(GND2) < 目標の 80% の場合、GND2 コンデンサーは内部電流源 I(REGCHG)によって目標のしきい値電圧の 80% まで急速充電されます。
GND2 コンデンサーの電圧が目標の 80%～120%の場合、GND2 コンデンサーは、GND2 ピンと VEE ピンの間の電圧差に応じて、内部オペレーショナルトランスコンダクタンスアンプ (OTA) によって安定化できます。
GND2 コンデンサのー電圧が指定されたターゲットしきい値電圧を超えている場合、
たとえば、VC(GND2) > 目標の 120% の場合、内部電流源 I(REGDIS) は、GND2 コンデンサーを目標のしきい値電圧の 120% まで放電できます。