Gen4 SiC FET シリーズ

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UJ4C Gen 4 SiC FETシリーズは独自のカスコード構成を採用しており、定格電圧は750V、1200Vになっています。また、全体的なシステム効率を向上させる業界最高のデバイスを提供します。 スイッチングパフォーマンスとQrrが改善され、特定のRDS（on）ごとのEonとEoffの損失も改善されます。

さらに、EossとCossのレベルが下がると、合計の損失が最小になります。 これらのデバイスは、一般的な0V〜12Vまたは15Vのゲート駆動電圧で安全に駆動できます。 良好なスレッショルドノイズマージンは、真の5Vスレッショルド電圧が維持されております。これらの新しいSiC FETは、前世代と同様にすべての一般的なSi IGBT、Si MOSFET、およびSiCMOSFET駆動電圧で動作できます。 また、ESDゲート保護クランプが組み込まれています。 Gen4世代のすべてのデバイスはAEC-Q101認定済みです。

Gen4 SiC FETシリーズはパッケージラインナップとしてTO247-3L/4L、D2PAK、TOLLパッケージを用意しています。TOLLパッケージはD2PAKよりも更に実装面積を削減できます。

Gen4 SiC FET 750V ラインナップ

Gen4 SiC FET 1200V ラインナップ

Gen3 UJ3C SiC FET シリーズ

Gen3 UJ3C FETシリーズは、「使いやすさ」を重視して構築されており、既存のSiベースのデバイスや新しいSiCベースのデザインをアップグレードするための完璧なソリューションです。SiC JFETと特別に設計されたSi MOSFETをカスコード接続し、MOSFETのノーマリーオフ動作、高性能なボディダイオードを実現し、簡単なゲートドライブ回路でデバイスを駆動することが可能です。

その結果、既存のシステムのデバイスを入れ替えれば、伝導損失とスイッチング損失の低減、熱特性の強化、およびゲートESD保護の統合により、パフォーマンスの向上を期待できます。 新しい設計では、UJ3C FETシリーズはスイッチング周波数を高め、インダクターやコンデンサーなどの受動部品の効率とサイズおよびコストの両方の点でシステムに大きな利点をもたらします。

Gen3 UF3C/SC Fast SiC FET シリーズ

Gen3 UF3C / UF3SCシリーズは、独自のカスコード構成に基づいて、スイッチング速度の高速化、効率の向上、損失の低減を実現すると同時に、ほとんどのTO-247-3L IGBT、Si-MOSFET、およびSiCを置換えることが可能です。

つまり、既存のゲート駆動回路に変更を加えることなく、パフォーマンスと効率を高めるためのシステムアップグレードを実現できます。 Qrrを50％削減することによって、ターンオン損失を削減できます。 大電流で使用するには、小型で低コストのRCスナバが必要です。これにより、EMI設計も簡素化されます。

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