
本イベントの開催は終了いたしました。
イベントの特徴
新たにパワーデバイス、特にSiCをご検討のエンジニアの皆様、必見!
SiC FETデバイスでのRDS(オン抵抗)の低減を追求することで、設計者が各アプリケーションにおいて、効率の向上、損失の低減、フォームファクターの低減、総コストの削減を通じて、次世代の製品のパフォーマンスとイノベーションを実現するのにどのように役立っているかをこのセミナーでは紹介させていただきます。
こんな人にオススメです!
・新たにパワーデバイスを選定されようとしているお客様全般
・SiCを使いたいが簡単に使いこなせる方法がないか模索しているお客様全般
日程・お申し込み
日程 | 時間 | 会場 | 定員 | お申し込み |
---|---|---|---|---|
2020/12/18 (金) |
|
ご自分のデスク |
|
受付終了
|
2021/01/22 (金) |
|
ご自分のデスク |
|
受付終了
|
アジェンダ
時間 | 内容 |
---|---|
10:00-11:00 |
・UF3SC SiC FETsの紹介 – RDS(on) <10mΩ |
注意事項
以下、必ず確認してください。
競合の方のご参加は、お断りする場合がございます。何卒ご了承ください。