Gen4 SiCFETシリーズ

設計における柔軟性を提供するために、Qorvoは、23、33、および44mΩのオン抵抗と6、9、および11mΩの部品を備えた追加のGen4 750V SiC FETを提供しています。その結果、さまざまなオン抵抗のデバイスを「組み合わせて」特定の熱条件と動作条件に最適な価格とパフォーマンスの組み合わせを得ることができます。また、低コストの部品をさまざまな設計に共通に使用することで流動数を増やした時の価格設定を活用することもできます。

SiC FETの並列化は簡単で、ゲート駆動電力は非常に低いため、通常、並列化による余分なエネルギーは無視できます。デバイスは、オン抵抗の正の温度係数により自然に電流バランシングされます。たとえば、単一の9mΩのデバイスと比較して、18mΩで2つ並列に接続すると、合計で導通損失が少なくなります。これは、2つのデバイスのそれぞれの電流が半分になると、それぞれのデバイスの電力が半分になり、温度上昇が低くなり、それに比例してオン抵抗の上昇が少なくなるためです。接合部温度が低くなると、信頼性も当然向上し、すでに高いSiCの最大値を下回るヘッドルームがさらに広がります。

Qorvo 「FET-Jet 計算機」を使用して、さまざまなアプリケーションや動作条件で、SiC FETの任意の数の並列数を設定でき、実際の損失と温度上昇の影響を確認することができます。

Gen4 SiC FETが業界をリード

Gen4 SiC FET製品は、クラス最高レベルの性能を備えており、基板への熱伝導損失を低減するためのウェハーの薄化や、ジャンクションからケースへの熱抵抗を低減し、結果としてジャンクションの動作温度を下げるための銀シンターダイアタッチなど、第4世代の先進的な製造技術を採用しています。これらの製品は、TO-247の3本リードのほか、ソースの「ケルビン」接続が必要な場合には4本リードのパッケージも用意されています。図1は、新しい750VのSiC FETが、SiC MOSFETの競合製品と比較してどのような位置づけにあるかをまとめたものです。

Qorvoの750V SiC FET製品群には、より幅広い選択肢があるという柔軟性があるため、多くの用途に適用することができます。自動車用AEC-Q101認定を受けたこれらの製品は、650V定格の部品と比較して、効率の向上と電圧マージンの改善を目的として、トラクションインバーター、オンボードおよびオフボード充電器、DC/DC コンバーター、およびワイヤレス充電に使用することができます。また、超低抵抗を実現したことで、効率と小型化のために低導通損失が重要となるAC/DCソリッドステートサーキットブレーカーの用途にも有効です。一般的には、産業用およびIT用の電力変換製品において、第4世代のSiC FETは、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングの両方のトポロジーで性能を向上させます。

お客様のニーズに基づき、Qorvoは周波数補償を最適化して迅速に対応し、さらに多くのオプションを提供しています。

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