SiC採用事例:SIGNET社 EV急速充電器

SIGNET EV急速充電器

SIGNET EVは、韓国のみならず世界中の市場にEV用バッテリーチャージャーを提供するリーディングカンパニーであり、シングルユーザーチャージャーからマイクログリッド充電ステーションまで、高速で効率的、かつスケーラブルな充電ソリューションを提供しています。 SIGNET EVの新しい充電器の設計は、顧客のニーズを満たすために、次のレベルの性能と優れた耐久性を提供しなければなりません。

つまり、充電システムに使用するパワーデバイスは、業界最高レベルの効率性、耐久性/信頼性を提供すると同時に、設計が容易でなければなりません。アメリカのEAプロジェクトで採用されたSIGNET EV 175kW & 350kW EV充電器と、国内向けの50kW & 100kW充電器が該当します。

ソリューション

SIGNET EVは、積極的な充電時間と耐久性の目標を達成するために、新しい充電器ステーションの設計に3つの異なるQorvoのデバイスを採用しました。

  ● UJ3C120080K3S SiC FET – 1200V, 80mohm, TO247-3L package
  ● UF3C065040K3S SiC FET – 650V, 40mohm, TO247-3L package
  ● UJ3D06530TS SiC Schottky diode – 650v, 30mohm, TO220-2L package

メリット

高効率 - 競合他社のSiCデバイスを使用した以前の設計と比較し、効率が0.5%向上しました。

 

ノイズイミュニティー - 新しい充電器の設計では、他のSiCベンダーのデバイスと比較して、Qorvoのデバイスによる優れたノイズイミュニティー性能を実現し、より「安定した耐久性のある」設計を実現しました。

 

使いやすさ - Qorvoの標準的なゲート駆動(0V~12V)により、SiC FETへの簡単な変更が可能となり、設計時間の短縮と全体的な費用対効果の確保につながりました。

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