UnitedSiCデバイスを採用した、費用対効果の高い安定したパワーモジュールシステムを提供

韓国を拠点とするSemiPowerExは、Si、IGBT、ワイドバンドギャップSiCおよびGaNソリューションに基づく半導体パワーモジュールの設計と製造における技術革新者です。 SemiPowerExは、モジュールに高熱伝導率AIN(窒化アルミニウム)基板を使用しているため、熱効率を改善し、システム全体のサイズを縮小することで、ヒートシンクのコストを削減できます。

最高性能のSiCパワーモジュールを維持するために、SemiPowerExはSiC FETデバイスの最適な性能を確保するために先進的な方法を模索する必要がありました。これらはdi/dtとdv/dtのスロープ制御、そしてゲートノイズ制御に関する信号管理の改善です。目標とする性能ベンチマークはSi MOSFETやIGBTモジュールを超えるものでした。

ソリューション

SemiPowerEx社は、既存のモジュールをUnitedSiCのスタック・カスコードFETであるUF3SC065007、UF3SC120016、UF3SC120009にアップグレードし、さらに安定した信号動作のためにUnitedSiCが推奨するRCスナバ回路を追加しました(スナバはボルト端子のモジュールには内蔵されています)

SemiPowerEx SiC FET パワーモジュール
図1 SemiPowerEx SiC FET パワーモジュール

メリット

推奨されるRCスナバをUnitedSiCのSiC FETと組み合わせて適用した結果、SemiPowerEx社は、高いスイッチング周波数においても、より小型で効率的かつ安定した動作を実現することができました。

システムの小型化と低コスト化

SemiPowerExでは、UnitedSiC FETとRCスナバ回路を使用することで、エンドユーザーがシステムサイズを20%削減し、コストを10%削減できると見積もっています。

効率化、スイッチング速度の向上

1200V、9mΩのSiC FETを使用した場合、スイッチング周波数はIGBTと比較して最大3倍になりました。650VのSiC FETを使用した場合、Si FET回路に比べて2倍、IGBTに比べて3倍、スイッチング周波数を向上させることができます。

 

PDF版をダウンロードされる方は以下ボタンをクリックください。

お問い合わせ

本記事に関してご質問などありましたら、以下より問い合わせください。

UnitedSiC メーカー情報Topページへ

UnitedSiC メーカー情報Topページへ戻りたい方は、以下をクリックください。